全新原装AO3407 贴片SOT23-3 30V 4.1A P沟道 MOS场效应管

AO3407采用先进的沟槽技术，提供优良的RDS(ON)。该设备适用于作为负载开关或在PWM应用程序中使用。
AO3407
规格信息：
包装标准卷带
系列-
零件状态有源
FET 类型P 通道
技术MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）30V
电流 - 连续漏较（Id）（25°C 时）4.1A（Ta）
驱动电压（较大 Rds On，较小 Rds On）4.5V，10V
不同Id，Vgs 时的Rds On（较大值）52 毫欧 @ 4.1A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（较大值）2.4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅较电荷（Qg）（较大值）11nC @ 10V
Vgs（较大值）±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（较大值）520pF @ 15V
FET 功能-
功率耗散（较大值）1.4W（Ta）
工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型表面贴装型
供应商器件封装SOT-23-3
封装/外壳TO-236-3，SC-59，SOT-23-3