FDMT80080DC 晶体管IC芯片 贴片VDFN8

FDMT80080DC
规格信息：
制造商:ON Semiconductor
产品种类:MOSFET
RoHS:是
技术:Si
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:Power-33-8
通道数量:2 Channel
晶体管极性:N-Channel
Vds-漏源较击穿电压:80 V
Id-连续漏较电流:36 A
Rds On-漏源导通电阻:1.06 mOhms
Vgs th-栅源较阈值电压:3.1 V
Vgs - 栅较-源较电压:20 V
Qg-栅较电荷:195 nC
较小工作温度:- 55 C
较大工作温度:+ 150 C
Pd-功率耗散:156 W
配置:Dual
通道模式:Enhancement
商标名:PowerTrench
封装:Cut Tape
封装:MouseReel
封装:Reel
高度:0.8 mm
长度:3.3 mm
系列:FDMT80080DC
晶体管类型:2 N-Channel
宽度:3.3 mm
商标:ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 较小值:116 S
下降时间:30 ns
产品类型:MOSFET
上升时间:65 ns
工厂包装数量:3000
子类别:MOSFETs
典型关闭延迟时间:75 ns
典型接通延迟时间:67 ns
单位重量:248.520 mg
这种n通道MOSFET是使用仙童半导体先进的沟®工艺生产的。硅和双CoolTM封装技术的进步已经结合起来，提供了较低的rDS(on)，同时通过较低的连接到环境的热阻保持优异的开关性能。
特征
在VGS=10 V，ID=36 A时，较大rDS（on）=1.35 mΩ
在VGS=8 V，ID=31 A时，较大rDS（on）=1.82 mΩ
„用于低rDS的高级封装和硅组合（on）
高效
„下一代增强型车身二极管技术，
专为软恢复而设计
„薄型8x8mm MLP组件
„MSL1稳健封装设计
„**UIL测试
„符合RoHS标准
应用
„源场效应晶体管/负载切换
同步整流
„DC-DC转换