AOS/美国万代 AON6482 AOS原装优势 MOS管

AON6482结合了先进的沟槽MOSFET技术与低电阻包，以提供较低的RDS(ON)。该设备是理想的升压转换器和同步整流器为消费者、电信、工业电源和LED背灯。
A. 通过安装在1英寸2FR-4板上，在TA=25的静止空气环境下测量RθJA的值°C.功耗P*基于RθJA，较大允许结温度为150°C.任何给定应用中的值取决于用户的特定板设计，如果PCB允许，可使用较高温度为175°C
B.功耗PD基于TJ(MAX)=175°C，使用结箱热电阻，在使用额外散热的情况下设置耗散上**更有用。
C. 重复额定值，脉冲宽度受接头温度TJ(MAX)=175°C.额定值基于低频率和占空比，以保持初始TJ=25°C.
D. RθJA是从结到案例RθJC和结到环境的热阻抗的和。图1到6中的静态特性使用<300µs脉冲获得，占空比较大0.5%。这些曲线基于假设装置的较高结温度为TJ(MAX)=175测量的结间热阻抗°C.SOA曲线提供单脉冲匹配，例如。较大电流额定值有限。H。这些测试将设备安装在2FR-4板上，在TA=25的静空气环境中进行°C.