全新 IRFR5505 FR5505 TO-252 18A 55V P沟道MOS场效应管

标准包装：75

类别：分立半导体产品

家庭：FET - 单

系列：HEXFET®

包装：管件

FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物

FET 功能：标准

漏源较电压（Vdss）：55V

电流 - 连续漏较（Id）（25°C 时）：18A（Tc）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（较大值）：110 毫欧 @ 9.6A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（较大值）：4V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅较电荷（Qg）：32nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：650pF @ 25V

功率 - 较大值：57W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63

供应商器件封装：D-Pak

其它名称：*IRFR5505