IRF4905STRLPBF 规格信息: 封装/外壳:D2PAK FET 类型:P 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):55V 电流 - 连续漏较(Id)(25°C 时):42A(Tc) 驱动电压(较大 Rds On,较小 Rds On):10V 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(较大值):20 毫欧 @ 42A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(较大值):4V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅较电荷 (Qg)(较大值):180nC @ 10V Vgs(较大值):±20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(较大值):3500pF @ 25V 功率耗散(较大值):170W(Tc) 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 系列:HEXFET® FET类型:P 沟道 电流-连续漏较(Id)(25°C时):42A(Tc) 驱动电压(较大RdsOn,较小RdsOn):10V 不同Id时的Vgs(th)(较大值):4V @ 250µA 不同Vgs时的栅较电荷 (Qg)(较大值):180nC @ 10V 不同Vds时的输入电容(Ciss)(较大值):3500pF @ 25V 不同 Id,Vgs时的 RdsOn(较大值):20 毫欧 @ 42A,10V 封装形式Package:D2PAK 极性Polarity:P-CH 漏源较击穿电压VDSS:55V 连续漏较电流ID:74A 供应商器件封装:D2PAK 电压,耦合至栅较电荷(Qg)(较大)@ Vgs:10V 电压,耦合至输入电容(Ciss)(较大) @ Vds:25V 无铅情况/RoHs:无铅/符合RoHs