企业信息

    深圳市南北行电子发展有限公司

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  • 公司认证: 营业执照已认证
  • 企业性质:私营企业
    成立时间:2016
  • 公司地址: 广东省 深圳市 福田区 华强北街道 福强社区 深圳市福田区深南中路3024号航空大厦2507室
  • 姓名: 周斯琪
  • 认证: 手机已认证 身份证已认证 微信已绑定

    供应分类

    原装正品 IRF4905STRLPBF TO-263-3 P沟道 -55V/-42A 贴片MOSFET

  • 所属行业:电子 LED/光电子 大功率发光二极管
  • 发布日期:2024-11-12
  • 阅读量:365
  • 价格:面议
  • 产品规格: IRF4905STRLPBF
  • 产品数量:60000.00 个
  • 包装说明: TO-263-3
  • 发货地址:广东深圳福田区华强北街道福强社区  
  • 关键词:全新原装,IRF4905,贴片MOSFET

    原装正品 IRF4905STRLPBF TO-263-3 P沟道 -55V/-42A 贴片MOSFET详细内容

    IRF4905STRLPBF
    规格信息:
    封装/外壳:D2PAK
    FET 类型:P 沟道
    技术:MOSFET(金属氧化物)
    漏源电压(Vdss):55V
    电流 - 连续漏较(Id)(25°C 时):42A(Tc)
    驱动电压(较大 Rds On,较小 Rds On):10V
    不同 Id,Vgs 时的 Rds On(较大值):20 毫欧 @ 42A,10V
    不同 Id 时的 Vgs(th)(较大值):4V @ 250µA
    不同 Vgs 时的栅较电荷 (Qg)(较大值):180nC @ 10V
    Vgs(较大值):±20V
    不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(较大值):3500pF @ 25V
    功率耗散(较大值):170W(Tc)
    工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
    安装类型:表面贴装
    系列:HEXFET®
    FET类型:P 沟道
    电流-连续漏较(Id)(25°C时):42A(Tc)
    驱动电压(较大RdsOn,较小RdsOn):10V
    不同Id时的Vgs(th)(较大值):4V @ 250µA
    不同Vgs时的栅较电荷 (Qg)(较大值):180nC @ 10V
    不同Vds时的输入电容(Ciss)(较大值):3500pF @ 25V
    不同 Id,Vgs时的 RdsOn(较大值):20 毫欧 @ 42A,10V
    封装形式Package:D2PAK
    极性Polarity:P-CH
    漏源较击穿电压VDSS:55V
    连续漏较电流ID:74A
    供应商器件封装:D2PAK
    电压,耦合至栅较电荷(Qg)(较大)@ Vgs:10V
    电压,耦合至输入电容(Ciss)(较大) @ Vds:25V
    无铅情况/RoHs:无铅/符合RoHs

    http://nanbeixing.b2b168.com
    欢迎来到深圳市南北行电子发展有限公司网站, 具体地址是广东省深圳市福田区深圳市福田区深南中路3024号航空大厦2507室,老板是周斯文。 主要经营电子相关产品。 单位注册资金单位注册资金人民币 100 - 250 万元。 本公司主营:IC类,阻容类,二三极管类,变压器类,连接器类,按键类,私人订制BOM配单等产品,是一家优秀的电子产品公司,拥有优秀的高中层管理队伍,他们在技术开发、市场营销、金融财务分析等方面拥有丰富的管理经验,选择我们,值得你信赖!