英飞凌mos管原装IPA80R600P7XKSA1正品N沟道功率场效应

MOSFET
800V、CoolMOSª、P7、功率晶体管
较新的800V CoolMOS™P7系列设置了一个新的基准，采用800V
**级、连接、技术和结合了*的性能和
英飞凌18年来较先进的易用性
开拓性、**级、交叉、技术、创新。
特征
•同类较佳 FOM  RDS（on）* EOS；减少的、Qg、Ciss和Coss
•“同类较佳”、DPAK、RDS（on）
•“同类较佳”、3V的V（GS）th和±0.5V的较小V（GS）th变化
•集成齐纳二极管ESD保护
•根据JEDEC，完全合格，适用于工业应用
•全面、优化的投资组合
利益
•同类较佳性能
•实现更高功率、密度、设计、物料清单、节约和更低成本
装配成本
•容易、易于驾驶和平行行驶
•通过减少ESD相关故障，提高产量和产量
•减少生产、问题和减少现场回报
•易于选择、正确的部件，以便对设计进行微调
潜在的应用
LED推荐的硬开关、软开关、反激式拓扑
照明、低压、电源、充电器和适配器、音频、辅助设备、电源和
工业、电力，也适用于PFC、舞台、家用等应用
还有太阳能。
请注意：对于MOSFET，并联，在栅较上使用铁氧体磁珠
或者，通常推荐使用单独的图腾柱。