原装正品TK72E12N1 TO-220场效应管

TK72E12N1；iscn通道MOSFET晶体管
特点·带TO-220包装
·高速开关
·较高的换向强度
·易于使用
·**雪崩测试
·较大限度地减少批次间的差异，实现稳健的设备性能和可靠的运行
·应用程序
·PFC阶段
·LCD&PDP电视
·电源
·交换应用
·**较大额定值（Ta=25℃）符号参数值单位VDSS漏源电压120 V VGSS栅源电压±20 V ID漏电流-Continuous@TC=25℃TC=100℃179 72 A IDM漏电流单脉冲360 A PD总损耗255 W Tj工作结温度-55~150℃Tstg存储温度-55~150℃
·热特性符号参数较大X单元Rth（ch-c）通道对箱热阻0.49℃/WRth（ch-a）通道对环境热阻83.3℃/W