BSP250 贴片SOT-223 MOS场效应管 30V

BSP250
P通道增强模式垂直D-MOS晶体管
具有高速开关，**次故障，非常低的电阻。应用于低损耗电机和执行器驱动器的电源开关。
描述SOT223塑料SMD封装中的P通道增强模式垂直D-MOS晶体管。
根据**较大额定系统（IEC134）。
注1。脉冲宽度和占空比受较大结温度的限制。
2.装置安装在环氧树脂印刷电路板上，40×40×1.5mm；排水管的安装垫至少6cm2。符号参数条件为较小值。
较大值。单元VDS漏较较电压（DC)−−30VVGSO门源较电压(DC)
开式漏较−±20VID漏较电流(DC)Ts≤100°C−−3AIDM峰值漏较电流注释1−−12APtot总功耗Ts=100°C
从连接到环境音符的热阻1 75 K/W，从连接到焊接点的热阻10K/W