OptiMOS® 2小信号晶体管 特征 •N通道 •增强模式 •逻辑电平(4.5V) •额定雪崩 •与SOT23兼容的封装外形 •额定dv/dt •无铅电镀;符合RoHS标准 参数符号条件单元 连续漏电流I D T A=25°C 3.7 A T A=70°C 2.9 脉冲漏较电流I D,脉冲T A=25°C 14.7 雪崩能量,单脉冲E,Id=3.7A,Rgs=25Ω 30兆焦耳 反向二极管dv/dt dv/dt I D=3.7 A,Vds=16 V, di/dt=200安/微秒, T j,较大值=150°C 6千伏/微秒 栅源电压vgs±20v 功耗P tot T A=25°C 0.5 W 操作和储存温度Tj ,T stg-55。。。150摄氏度 ESD等级JESD22-A114-HMB 0(0V至250V) 焊接温度260°C IEC气候类别;DIN IEC 68-1 55/150/56