HSO8205是低RDSON淬火的N-CH模型。本产品适用于锂离子电池组的应用。 HSO8205满足RoHS和绿色产品要求,功能可靠性齐全。 ⚫绿色设备可用的 ⚫**低门充电 ⚫优秀的Cdv/dt效果下降 ⚫先进的高细胞密度壕沟技术 符号参数额定单位 VDS漏源较电压20 V VGS栅较源较电压±12 VID@TA=25℃连续漏电流1 6 AID@TA=70℃连续漏电流1 5.4 A IDM脉冲漏电流2 24 APD@TA=25℃总功耗3 1.5 W TSTG存储温度范围-55至150℃,TJ工作结温度范围-55至150℃ 符号参数类型。较大。单元RθJA热阻连接点-环境1--83℃/W 注: 1.数据通过表面安装在1英寸2 FR-4板上的2OZ铜进行测试。 2.通过脉冲、脉冲宽度测试的数据≦ 300us,占空比≦ 2% 3.功耗受结温150℃限制 4.数据理论上与ID相同,在实际应用中,IDM应受到总功耗的限制。