深圳市南北行电子发展有限公司 GM8205A 双N通道高密度沟槽MOSFET(20V、6.0A) 产品摘要VDSSIDRDS(on)(m-欧姆)较大28@VGS=4.0V,ID=6.0A20V6.0A40@VGS=2.5V,ID=5.2A 特点先进的沟工艺技术高密度电池设计**低电阻铅免费产品获得表面安装包 **较大额定功率(TA=25oC,除非另有说明)符号参数额定功率单元VDS排水源电压20VVGS 门源电压±12VID排水管电流(连续)6.0AIDM排水电流(脉冲)20APD=25oC2.0W 较大二极管正向电流为1.7ATj、Tstg操作接头和存储温度范围-55至+150°CRθJA 环境热阻接头b62°C/W