供应全新原装进口FDMT80080DC 晶体管IC芯片 贴片VDFN8

FDMT80080DC
N沟道双CoolTM 88 PowerTrench®MOSFET
80伏254安1.35兆欧
特征
在VGS=10 V，ID=36 A时，较大rDS（on）=1.35 mΩ
在VGS=8 V，ID=31 A时，较大rDS（on）=1.82 mΩ
用于低rDS的高级封装和硅组合（on）
高效
下一代增强型车身二极管技术，
专为软恢复而设计
„薄型8x8mm MLP组件
„MSL1稳健封装设计
„**UIL测试
„符合RoHS标准
这个n通道MOSFET是使用仙童半导体先进的电力沟®工艺生产的。硅和双CoolTM封装技术的进步已经结合起来，提供了较低的rDS(on)，同时通过较低的连接到环境的热阻保持优异的开关性能。
应用
„源场效应晶体管/负载切换
同步整流
„DC-DC转换