IR2101(S)/IR2102(S)是高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器,具有独立的高侧和低侧参考输出通道。专有的HVIC和锁存*CMOS技术使坚固整体结构成为可能。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容,至3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲器,阶段设计为较小的驾驶员交叉传导。浮动通道可用于驱动运行高达600伏的高侧配置中的n通道功率MOSFET或IGBT。 特征 •设计用于引导操作的浮动通道 完全运行至+600V 耐负瞬态电压 dV/dt* •栅较驱动电源范围为10至20V •欠压锁定 •3.3V、5V和15V逻辑输入兼容 •两个信道的匹配传播延迟 •输出与输入(IR2101)同步或不同步 带输入的相位(IR2102)