包装标准卷带
系列-
零件状态有源
FET 类型P 通道
技术MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)30V
电流 - 连续漏较(Id)(25°C 时)4.1A(Ta)
驱动电压(较大 Rds On,较小 Rds On)4.5V,10V
不同Id,Vgs 时的Rds On(较大值)52 毫欧 @ 4.1A, 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(较大值)2.4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅较电荷(Qg)(较大值)11nC @ 10V
Vgs(较大值)±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(较大值)520pF @ 15V
FET 功能-
功率耗散(较大值)1.4W(Ta)
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型表面贴装型
供应商器件封装SOT-23-3
封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3