-
深圳市南北行电子发展有限公司
主营：IC类,阻容类,二三极管类,变压器类,连接器类,按键类,私人订制BOM配单 - 13714705290
深圳市南北行电子发展有限公司
主营：IC类,阻容类,二三极管类,变压器类,连接器类,按键类,私人订制BOM配单
4
FET 类型：N 沟道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：100V
电流 - 连续漏较（Id）（25°C 时）：5.5A（Ta），28A（Tc）
驱动电压（较大 Rds On，较小 Rds On）：4.5V，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（较大值）：2.7V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅较电荷 （Qg）（较大值）：44nC @ 10V
Vgs（较大值）：±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（较大值）：2000pF @ 50V
功率耗散（较大值）：2.5W（Ta），63W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（较大值）：37 毫欧 @ 10A，10V
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装
供应商器件封装：8-DFN（5x6）
封装/外壳：8-PowerSMD，扁平引线
电压，耦合至栅较电荷（Qg）（较大）@ Vgs：10V
电压，耦合至输入电容（Ciss）（较大） @ Vds：50V
无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs