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深圳市南北行电子发展有限公司
主营：IC类,阻容类,二三极管类,变压器类,连接器类,按键类,私人订制BOM配单 - 13714705290
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主营：IC类,阻容类,二三极管类,变压器类,连接器类,按键类,私人订制BOM配单
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1.说明BY25D16为16M位串行外围接口(SPI)闪存，并支持双SPI：串行时钟、芯片选择、串行数据I/O0(SI)、I/O1(SO)。双输出数据的传输速度为108Mbits/s。该设备使用一个单一的低压电源，范围从2.7伏到3.6伏。 此外，该设备还支持JEDEC标准制..
CS5340是一个完整的数字音频系统的模数转换器。它执行采样、类似数字转换和反别名滤波，以每个通道高达200kHz的串行形式的左右输入的采样速率生成24位值。 CS5340使用5阶、多位Delta-西格玛调制器，然后进行数字滤波和抽取，这消除了对..
三极管st13007a与j13007一1通用，因为参数一样。 st13007a参数：高压开关管；NPN功率管；400V；8A；80W；三极管的分类 a.按材质分: 硅管、锗管 贴片三极管 b.按结构分: NPN 、 PNP。如图所示。 c.按功能分: 开关管、功率管、达林顿管、..
单通道：6N137M、HCPL2601M、HCPL2611M双通道：HCPL2630M、HCPL2631M（初步）高速10MBit/s逻辑门光耦合器 6N137M、HCPL2601M、HCPL2611M单通道和HCPL2630M、HCPL2631M双通道光耦合器由一个850nmAlGaASLED组成，光学耦合到一个较快的高速..
FT24C04A/08A/16A系列是4096/8192/16384位的串行电气可擦除和可编程只读存储器，通常称为EEPROM。 它们被组织为512/1024/2048个单词，每个单词为8位（1字节）。该设备采用专有的先进CMOS工艺制造，用于低功率和低压应用。 这些设备可提..
RealtekRTL8111B/RTL8168B千兆以太网控制器结合了三速IEEE802.3兼容的媒体访问控制器(MAC)与三速以太网收发器、PCIExpress总线控制器和嵌入式存储器。 RTL采用较先进的DSP技术，RTLRT8111B/RTL8168B提供通过CAT5UTP电缆或CAT3UTP（**10M..
用于MD SVI2 CPU电源应用的带2个集成驱动器的双输出PWM控制器 AMD SVI2 CPU 台式计算机概述RT8878B是一款4+2相PWM控制器，符合AMD SVI2电压调节器技术规格，支持CPU核心（VDD）和北桥部分（VDDNB）。 RT8878B的特点是CCRCOT（恒流纹..
描述FT24C04A/08A/16A系列是4096/8192/16384位的串行电气可擦除和可编程只读存储器，通常称为EEPROM。 它们被组织为512/1024/2048个单词，每个单词为8位（1字节）。该设备采用专有的先进CMOS工艺制造，用于低功率和低压应用。 这些设备..
DIO2133是机顶盒和高清晰度播放器的集成解决方案，它被设计用来优化音频驱动器电路的性能，同时通过消除外围离散组件来降低BOM成本。DIO2133的特点是一个3Vrms立体声音频驱动程序，设计允许删除输出交流耦合电容器。具有差分输入模式，..
品牌/型号：爱鑫/DLT1150A接口类型：TTL接触件材质：铜包钢针数：3种类：插头/插座是否提供加工定制：否形状：矩形线长：0（mm）应用范围：光纤型号：DLT1150A工作频率：低频MHz特性：高保真绝缘体材质：PBT塑料品牌：爱鑫支持卡数：单..
HSO8205是低RDSON淬火的N-CH模型。本产品适用于锂离子电池组的应用。 HSO8205满足RoHS和绿色产品要求，功能可靠性齐全。 ⚫绿色设备可用的 ⚫**低门充电 ⚫优秀的Cdv/dt效果下降 ⚫先进的高细胞密度壕沟技术 符号参数额定单位 VDS漏源较..
功能1。即使采用小型10mm.394英寸(H)x11mm.433英寸(W)x20mm.787英寸(L)（尺寸、大容量开关：1a、8A250VAC；2a和1a1b、5A250VAC。 2.高开关能力高接触压力、低接触弹跳和擦擦操作提高了焊缝的阻力。耐灯具负荷和介电负载：1a较大开关容量..
概述 DW01A系列电路是一款高精度的单节可充电锂电池的过充电和过放电保护电路，它集高精度过电压充电保 护、过电压放电保护、过电流放电保护等性能于一身。正常状态下，DW01A的VDD端电压在过电压充电保护阈 值（VOC）和过电压放电保护阈..
EG8371是一款无FM干扰、AB/D类可选择的功率放大器。5V工作电压时，较大驱动功率为5W（2Ω ，BTL 负载，THD<10%），音频范围内总谐波失真噪声小于1％。EG8371采用SOP和ESOP封装，特别适合用于小音 量、小体重的便携系统中。可以通过控制..
EM6AA160 SDRAM是一种高速CMOS双数据速率同步DRAM，包含256Mbit。 它在内部配置为一个4米x 16的DRAM，带有一个同步接口（所有信号都记录在时钟信号CK的正边缘）。 数据输出发生在CK和CK的上升沿。对SDRAM的读写访问是面向突发的；访问从..
描述 ESD9B5VL是一个双向TVS（瞬时电压抑制器）。它是专门设计用来保护连接到低速数据线路和控制线路的敏感电子元件免受ESD（静电放电）、EFT（电气快速瞬态）和闪电引起的过应力。 根据IEC91000-4-2，ESD9B5VL可用于提供ESD保护，电压..
功能是IEEE802。3兼容以太网控制器集成MAC和10BASE-TPHY8K字节 传输/接收包双端口缓冲SRAM接收器和碰撞 缓冲电路支持一个10BASE-T 端口与自动极性检测可校正和可编程填充和CRC可编程生成可编程拒绝错误包10Mbit/sSPI™ 接口缓冲：可配置..
如果需要在ESD敏感设备中进行瞬态过电压保护，例如：-计算机。打印机。通信系统。GSM手机和附件。 n4单向晶体管函数n低泄漏电流：红外较大值。VBRn500WPEAK脉冲功率下的<20µA（8/20µs） ESDAxxSC5和ESDAxxSC6是单片镇压器，旨在保护连接..
1.0.3毫米螺距，双面连接器该连接器利用**部和底部触点，并提供设计灵活性。 2.通过使用我们**的接触结构和后翻转执行器，改进了FPC保持力。FPC保留力（在水平方向上）约是其他公司生产的同类产品的2.5倍。 3.支持高速传输通过利用其优..
描述FT24C04A/08A/16A系列是4096/8192/16384位的串行电气可擦除和可编程只读存储器，通常称为EEPROM。它们被组织为512/1024/2048个单词，每个单词为8位（1字节）。该设备采用专有的先进CMOS工艺制造，用于低功率和低压应用。这些设备可..