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深圳市南北行电子发展有限公司
主营：IC类,阻容类,二三极管类,变压器类,连接器类,按键类,私人订制BOM配单 - 13714705290
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主营：IC类,阻容类,二三极管类,变压器类,连接器类,按键类,私人订制BOM配单
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FDMT80080DC 规格信息： 制造商:ON Semiconductor 产品种类:MOSFET RoHS:是 技术:Si 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:Power-33-8 通道数量:2 Channel 晶体管极性:N-Channel Vds-漏源较击穿电压:80 V Id-连续漏较电流:36 A Rds On-漏源导通..
STM32F103RCT6 规格信息： 制造商:STMicroelectronics 产品种类:ARM微控制器 - MCU RoHS:是 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:LQFP-64 系列:STM32F103RC 核心:ARM Cortex M3 数据总线宽度:32 bit 较大时钟频率:72 MHz 程序存储器大小:256 k..
1.AT91M55800A是AtmelAT9116/32位微控制器系列的成员，该系列基于ARM7TDMI处理器核心。该处理器具有高性能的32位RISC架构，具有高密度的16位指令集和非常低的功耗。此外，大量的内部存储寄存器会导致非常快速的异常处理，使该设备成为实..
2SK208 通用用途和阻抗转换器和冷凝器麦克风的应用 •高击穿电压：VGDS=−50伏 •高输入阻抗：IGSS=−1.0 nA（较大值）（VGS=−30伏） •低噪声：NF=0.5dB（典型值）（RG=100KΩ, f=120赫兹） •小包装。 **较大额定值(Ta=25°C) 特性符..
AO3407采用先进的沟槽技术，提供优良的RDS(ON)。该设备适用于作为负载开关或在PWM应用程序中使用。 AO3407 规格信息： 包装标准卷带 系列- 零件状态有源 FET 类型P 通道 技术MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）30V 电流 - 连续漏较..
GD32F103RCT6 规格信息： 商品类型GigaDevice(兆易创新) I/O 数51 CAN1 Ethernet0 A/D16x12bit EEPROM 尺寸0 D/A2x12bit 工作电压2.6V ~ 3.6V PWM2 CPU位数32-Bit SPI3 CPU内核ARM® Cortex®-M3 UART/USART5 LCD- 主频（MAX)108MHz ROM类..
描述 STM32F103xC、STM32F103xD和STM32F103xE性能系列包含高性能ARM® 皮质®-M3 32位RISC内核以72 MHz频率运行，高速嵌入式内存（闪存高达512 KB，SRAM高达64 KB），以及连接到两条APB总线的各种增强型I/O和外围设备。所有设备都提供三个..
描述 STM32F103xx中密度性能系列包含高性能ARM®皮质®-M3 32位RISC内核以72 MHz频率工作，高速嵌入式内存（闪存高达128 KB，SRAM高达20 KB），以及连接到两条APB总线的各种增强型I/O和外围设备。所有设备都提供两个12位ADC、三个通用16位..
描述 STM32F103xx中密度性能系列包含高性能ARM®皮质®-M3 32位RISC内核以72 MHz频率工作，高速嵌入式内存（闪存高达128 KB，SRAM高达20 KB），以及连接到两条APB总线的各种增强型I/O和外围设备。所有设备都提供两个12位ADC、三个通用16位..
描述 STM32F413xG/H设备基于高性能Arm® 皮质®-M4 32位RISC内核，工作频率高达100MHz。他们的大脑皮层®-M4内核具有浮点单元（FPU）单精度，支持所有Arm单精度数据处理指令和数据类型。它还实现了一整套DSP指令和一个内存保护单元（MPU）..
描述 STM32F030x4/x6/x8/xC微控制器包含高性能Arm® 皮质®-M0 32位RISC内核，工作频率为48 MHz，高速嵌入式内存（高达256 KB的闪存和高达32 KB的SRAM），以及广泛的增强型外围设备和I/O。所有设备都提供标准通信接口（较多两个I2C、较多..
描述 STM32F410x8/B设备基于高性能ARM®皮质® -M4 32位RISC内核，工作频率高达100MHz。他们的大脑皮层®-M4内核具有浮点单元（FPU）单精度，支持所有ARM单精度数据处理指令和数据类型。它还实现了一整套DSP指令和一个内存保护单元（MPU）..
描述 STM32F103xx中密度性能系列包含高性能ARM®皮质®-M3 32位RISC内核以72 MHz频率工作，高速嵌入式内存（闪存高达128 KB，SRAM高达20 KB），以及连接到两条APB总线的各种增强型I/O和外围设备。所有设备都提供两个12位ADC、三个通用16位..
描述 STM8S003F3/K3值线8位微控制器提供8kbytes闪存程序存储器，以及集成的真数据EEPROM。在STM8S微控制器系列参考手册（RM0016）中，它们被称为低密度设备。STM8S003F3/K3值线设备具有以下优点：性能、健壮性和降低系统成本。 设备性能..
74HC/HCT04是高速硅门CMOS设备，其销与低功率肖特基TTL(LSTTL)兼容。它们是按照JEDEC标准no。7A.74HC/HCT04提供了6个倒置缓冲区。 特征 •符合JEDEC*8-1A号标准 •ESD保护： HBM EIA/JESD22-A114-A**过2000 V MM EIA/JESD22-A115-A**过2..
ADAM02S 是一款 2 通道电容式触摸感应 IC， *特的电容感应式触摸算法，广泛适用于各种控制面板应用，可直接兼容原机械式轻触按键的处理信号。 本产品的特点和优势： 可在有介质（如玻璃、亚克力、塑料、陶瓷等）隔离保护的情况下实现触..
NVP6124B 贴片QFN76 AHD2.0接收芯片图像处理器IC芯片 NVP6124B包括4通道AHD2.0 RX和9通道音频编解码器。它肯定与AHD1.0兼容。4通道AHD2.0RX提供高质量的图像。它接受来自摄像机和其他视频信号源的4个独立的cvbs/comet/AHD1.0/AHD2.0输入..
SN74HC245NSR 特征 1•2 V至6 V的宽工作电压范围 •高电流3状态输出驱动总线 直接或较多15个LSTL负载 •低功耗，较大电流为80μA •典型tpd=12纳秒 •5 V时的±6 mA输出驱动 •较大1μA的低输入电流 •在符合MIL-PRF-38535的产品上， 除..
SST39VF640xB设备是4Mx16CMOS多功能闪存+(MPF+)，采用SST专有的高性能CMOSSuperFlash技术制造。与替代方法相比，裂栅单元设计和厚氧化物隧道注入器具有更好的可靠性和可制造性。SST39VF6.6V电源的640xB写入（程序或擦除）。这些设备符合..
特征 •运行条件 –工作电源：1.65至3.6 V （无BOR），1.8至3.6 V（有BOR） –温度范围：-40至85或125°C •低功耗功能 –5种低功率模式：等待、低功率运行、， 低功耗等待，带RTC的活动暂停，暂停 –每I/0**低泄漏：50毫安 –从停止状态..